华北能源监管局：明确2022年京津唐电网电力中长期交易有关事项

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【图文导读】Figure1.In2O3纳米晶体的表征 (a).在空气中合成的In2O3纳米晶体的TEM图(b).1%Sn4+掺杂的In2O3纳米晶体的TEM图(c).空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体的XRD图(d). 空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体的拉曼图谱Figure2.纳米晶体性能表征 (a).空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体的LSPR吸收谱图(b).图a中纳米晶体的tauc图图3.纳米晶体性能表征(a).空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体，唐电以及10%ITO纳米晶体的MCD谱图(b). 空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体，唐电以及10%ITO纳米晶体磁场依赖的MCD强度图4.纳米晶体性能表征 (a).空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体，以及10%ITO纳米晶体在不同温度下的MCD图(b).空气中和氩气中合成的In2O3纳米晶体，以及不同掺杂浓度的ITO纳米晶体的MCD强度的温度依赖(c).图b中的纳米晶体在激子吸收范围内的MCD谱图图5.纳米晶体的模拟计算 (a,b).In2O3纳米晶体和3.125%Sn4+掺杂的In2O3纳米晶体的计算能带结构图(c).自由电子浓度增加所导致的能带分离示意图【小结】在这个工作中，作者利用圆偏振光在外部磁场中的激发，通过给体缺陷电子结构和纳米晶体主晶格的同时控制，来实现In2O3纳米晶体中激子分裂的控制。通过变温-变场磁圆二色性谱图，网电可以在等离子In2O3纳米晶体中观测到纳米晶体能带分离的影响。和由金和银构成的纳米结构相反，力中半导体和金属氧化物纳米晶体可以通过异价掺杂、力中化学计量的控制、光掺杂和电化学注射等方法来实现电荷载体的类型和浓度。

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